國(guó)星光電點(diǎn)亮Micro LED全彩顯示屏nStar Ⅲ
來(lái)源：司令 發(fā)布日期
2023-12-07 瀏覽：
近日，國(guó)星光電Micro LED超高清顯示研發(fā)項(xiàng)目成功點(diǎn)亮nStar Ⅲ。這是一款采用LTPS-TFT玻璃基驅(qū)動(dòng)背板的1.84英寸Micro LED全彩顯示屏，該屏采用全倒裝無(wú)襯底LED像素發(fā)光單元，可實(shí)現(xiàn)屏幕峰值亮度＞1500nits，像素間距為0.078mm，分辨率360*480，有望應(yīng)用于Micro LED手表等智能穿戴產(chǎn)品。
據(jù)國(guó)星光電介紹，nStar Ⅲ采用國(guó)星光電自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)和Micro LED玻璃基封裝專利技術(shù)，不僅實(shí)現(xiàn)＞50多萬(wàn)顆Micro?LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，轉(zhuǎn)移良率＞99.9%，還使得外形厚度更薄，平整度更高，可兼顧散熱與顯示一致性。
從2020年6月nStar Ⅰ問(wèn)世，到2022年9月推出nStar Ⅱ，再到本次迎來(lái)nStar Ⅲ，國(guó)星光電Micro LED全彩顯示屏產(chǎn)品迭代升級(jí)正在穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中。
2020年6月，國(guó)星光電第一代Micro LED新品——nStar Ⅰ 2.7英寸顯示模組正式面世。技術(shù)方面，據(jù)介紹，nStar Ⅰ采用玻璃作為基板介質(zhì)，透明度高達(dá)60%；采用RGB芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，色域大于100% NTSC，全彩化顯示效果更加逼真；采用一體式超薄封裝技術(shù)，對(duì)散熱更友好，同時(shí)保證了顯示效果的一致性以及更低亮度損失；具有更低的失效率，功率可低至LCD的10-20%，OLED的50-70%，可靠性高。
2022年9月，公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ?yàn)橐豢?.5英寸玻璃基Micro LED全彩顯示屏，像素間距300微米（P0.3），采用TFT驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)了8bit（256灰階）色深的顯示效果；基于自主搭建的Micro LED技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)平臺(tái)，同時(shí)突破了巨量轉(zhuǎn)移及巨量鍵合雙重技術(shù)難題，其綜合良率提升至99.99%。
伴隨著nStar系列產(chǎn)品更新?lián)Q代，技術(shù)上不斷向小間距、小尺寸等方面升級(jí)，性能持續(xù)提升，國(guó)星光電后續(xù)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)將不斷拓寬應(yīng)用領(lǐng)域。
在Micro LED領(lǐng)域，國(guó)星光電近年來(lái)大力布局自主研發(fā)，自2018年成立Mini&Micro LED研究中心后，2020年又成立了廣東省半導(dǎo)體微顯示重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，目前，公司在Mini/Micro LED領(lǐng)域已申請(qǐng)發(fā)明專利100余件。
值得一提的是，國(guó)星光電牽頭承擔(dān)的Micro LED全彩顯示屏研發(fā)項(xiàng)目分別獲批國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃等科研項(xiàng)目，這有助于國(guó)星光電全力推進(jìn)Micro LED新型顯示項(xiàng)目開(kāi)發(fā)，加速關(guān)鍵技術(shù)攻堅(jiān)進(jìn)程。
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