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聚焦Micro LED,臺(tái)大、陽(yáng)明交大、鴻海研究院等攜

返回列表來(lái)源:司令 發(fā)布日期 2023-10-28 瀏覽:

Micro LED在未來(lái)世代的智能顯示器中扮演著重要的角色,他們?cè)谠S多應(yīng)用中都顯得非常具有吸引力,例如無(wú)光罩式微影、生物傳感器、AR/MR等等。我們迫切需要一款能夠?qū)崿F(xiàn)飽和色彩渲染、高顯示分辨率和快速響應(yīng)時(shí)間的顯示器,而Micro LED技術(shù)可能是滿足這些需求的最佳選擇。
 
目前,半導(dǎo)體RGB Micro LED芯片和色彩轉(zhuǎn)換Micro LED是實(shí)現(xiàn)全彩高解析顯示器的主要競(jìng)爭(zhēng)者。這兩種方法都需要革命性的方式來(lái)完善材料質(zhì)量、制程設(shè)備,以及將各個(gè)部件組裝成一個(gè)系統(tǒng)。
 
日前,臺(tái)大、陽(yáng)明交大、鴻海研究院、臺(tái)工研院等單位攜手UCSB、UCF、KAUST等海外名校,其中也不乏包含了2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主—Nakamura教授、臺(tái)中研院吳詩(shī)聰院士、Micro LED技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商PlayNitride,一同完成撰寫(xiě)了一篇集大成的Micro LED roadmap文章。文中強(qiáng)調(diào)Micro LED相關(guān)問(wèn)題的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn),并討論可以應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的科技。
在磊晶技術(shù)方面的創(chuàng)新,例如穿隧接面(tunnel junction)、直接磊晶(direct epitaxy)、以及紅光和紫外光的氮化物(nitride-based)量子井,能夠?yàn)镸icro LED的性能提供重要的解決方法。另外,奈米線或奈米柱等量子尺度的結(jié)構(gòu)對(duì)設(shè)備的縮放至關(guān)重要。
 
與此同時(shí),以膠體量子點(diǎn)(colloidal quantum dots)為主動(dòng)材料的色彩轉(zhuǎn)換方法,為大型Micro LED陣列的組裝提供一種簡(jiǎn)便的解決方案,同時(shí)通過(guò)膠體量子點(diǎn)的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)全彩顯示。這些量子點(diǎn)可以通過(guò)多孔結(jié)構(gòu)、噴墨技術(shù)或感光性樹(shù)脂進(jìn)行圖案化。
 
除了Micro LED設(shè)備本身,外圍元件和技術(shù)也同樣重要。微芯片的轉(zhuǎn)移和修復(fù)、與電子元件的異質(zhì)整合、以及新型的二維材料都是不容忽視的因素,否則整個(gè)顯示模塊將會(huì)耗費(fèi)大量電力。AR技術(shù)是Micro LED顯示器的潛在客戶之一,但由于缺乏真正合格的顯示器,迄今為止的用戶體驗(yàn)仍然受到限制。
 
這份對(duì)Micro LED roadmap的分析表明了,Micro LED技術(shù)正朝著解決當(dāng)前問(wèn)題的方向不斷發(fā)展,所有這些努力都致力于滿足我們最嚴(yán)格的觀看需求,實(shí)現(xiàn)一款具備理想特性的高效顯示器。期望Micro LED成為我們?nèi)粘I钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧?/span>

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